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主板維修,128層堆棧NAND閃存秒殺機械硬盤
發 布:管理員 時 間:2018-02-17 點擊返回首頁

與其他廠商的3D NAND閃存相比,SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數更多,去年其他廠商還在堆棧32層的時候,他們就做了48層堆棧的了,今年其他廠商是64層堆棧,SK Hynix搞的的是72層堆棧,不過層數雖多,SK Hynix的3D閃存核心容量并不算高,4月份發布的72層堆棧3D閃存核心容量才256Gbit,只是其他家32層堆棧的3D NAND閃存的水平,東芝、西數及三星的64層堆棧已經可以做到512Gbit核心容量。


SK Hynix后面不僅會提升堆棧層數,容量也同樣會提升。Tomshardware報道稱他們下一代產品是96層堆棧的,核心容量將提升到512Gbit。當然,這也不是終點,原文稱其他韓國SSD廠商(這是說三星?)將推出128層堆棧的3D NAND閃存,核心容量將提升到1Tbit。


這是什么概念?目前主流的閃存核心容量才256Gbit,1Tbit容量密度是它的四倍,也就是128GB容量,而我們在SSD上常見的NAND芯片是由多個核心組成的,即便是4個核心,那么一片“閃存”的容量也有512GB了,M.2這樣的SSD上正反面至少可以布置4篇閃存,那么容量輕松達到2TB,如果內部搭配的核心更多,那么4TB、8TB也很正常。


當然,128層堆棧的3D NAND閃存可能還要一兩年時間才能問世,今年主流是64層堆棧,明年會提升到96層,128層大概要等到2019年了。


除了堆棧層數之外,提升NAND容量、降低成本還有別的方式,這就是NAND一路走路的SLC、MLC、TLC以及未來的QLC閃存——SLC大家都知道它的好處,性能最強,可靠性最高,但是成本也是最貴的,MLC次之,可惜現在只在部分高端型號上才見到了,TLC閃存之前一直被人吐槽性能差、可靠性低,但是TLC閃存現在已經成為主流了,特別是在3D NAND時代。


下一步就是QLC閃存,也就是Quad bit per cell(4bit per cell),每個cell單元容納4位數據,比TLC的3位數據還多,好處是容量更大,但缺點也跟TLC一樣,都是犧牲了可靠性及寫入性能,因為QLC對信號的控制要求更嚴格,所需的校驗更多。


從這幾年的情況來看,Intel、美光、三星等公司早就在研究QLC閃存了,它從實驗室走入市場只是時間問題,這次的臺北電腦展上給出了更具體的信息,明年的電腦展上就能見到QLC閃存了。不只是TH這么報道,我們的記者團在跟廠商交流時也得到了類似的信息,那就是QLC閃存在明年下半年就會嶄露頭角。


從TLC最初的遭遇來看,QLC初期肯定也會面臨性能、可靠性等方面的質疑,不過成本更低、容量更大的要求使得QLC沒有后退的可能,這條路沒法逆轉了。更加“悲劇”的則是以前大家覺得是次品的MLC閃存也會越來越稀罕,一旦QLC成熟了,MLC閃存狗帶的命運也是不可避免的。

對消費者來說,其實并不需要太在意閃存類型,早前閃存可靠性之所以受人關注,除了先天的技術問題外,還有一個重要因素就是之前的SSD容量太小,而對NAND來說,容量=壽命,大家購買的容量越大,可使用時間就越長,等到QLC閃存成熟了,SSD硬盤容量估計都是TB級的,寫入壽命這事并不需要這么耿耿于懷,還是要看到技術進步的。


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